半导体可靠性测试

可靠性测试

加速度测试

大多数半导体器件的寿命在正常使用下可超过很多年。 但我们不能等到若干年后再研究器件；我们需要增加施加的应力。 施加的应力可增强或加快潜在的故障机理，帮助找出根本原因，并帮助 TI 采取措施防止故障模式。

在半导体器件中，常见的一些加速因子为温度、湿度、电压和电流。 在大多数情况下，加速测试不改变故障的物理特性，但会转移观察时间。 加速条件和正常使用条件之间的转移称为“降额”。

高加速测试是基于 JEDEC 资质认证测试的关键部分。 以下测试反映了基于 JEDEC 规范 JESD47 的高加速条件。 如果产品通过这些测试，则表示器件能用于大多数使用情况。

温度循环

高温工作寿命 (HTOL)

温湿度偏压 (THB)/偏压高加速应力测试 (BHAST)

热压器/无偏压 HAST

高温存储

静电放电 (ESD)

当静电荷从一个表面移到另一个表面时，它便成为静电放电 (ESD)，并以微型闪电的形式在两个表面之间移动。

当静电荷移动时，就形成了电流，因此可以损害或破坏栅氧化物、金属层和接点。